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北京紫光存儲eMCP介紹

2019-09-16

 北京紫光存儲簡介

 


    eMCP嵌入式存儲顆粒是高品質的閃存+內存的二合一存儲産品,適用于高集成度的嵌入式存儲應用環境。內含eMMC存儲控制器,采用64層的3D NAND闪存芯片,搭配业界标准的LPDDR3 DRAM内存芯片。符合eMMC5.1标准,容量范围为:32GB+16Gb,32GB+24Gb,64GB+24Gb和64GB+32Gb。


   (Ⅰ)高度集成

         长宽11.5毫米x 13毫米尺寸空间内集成了eMMC控制器、NAND Flash颗粒和DRAM颗粒,实现了小空间大容量。
     
   (Ⅱ)先进的硬件纠错引擎(LDPC ECC)

         LDPC ECC能高效纠正数据错误,相对于BCH编码,具有更强的纠错能力,确保系统安全可靠的运行。

   (Ⅲ)内部电压侦测系统

         内部电压侦测功能可以在电源电压低于一定阈值时保护系统内数据不会出错。

   (Ⅳ)内嵌32位CPU系统

         内嵌32位的CPU系统使得固件的运行可以更加流畅高效,保证NAND内部的数据安全可靠。

   (Ⅴ)高速LPDDR3接口

         符合JEDEC LPDDR3协议规范,高速LPDDR3接口通道可以为系统CPU提供高效的数据存储服务。


    産品規格:

 

Part NoProductDensityMemory InformationPKG TypePKG SizeOperating VoltagePerformance1
eMMC
(VCC/VCCQ)
LP3
(VDD/VDDQ)
Seq.R/Seq.WRan.R/Ran.W
NandLP DRAM
UNPVN6GACACA4CSeMCP(eMMC5.1+LP3)64GB+24Gb3D TLC 256GbLP3
1866Mbps
221FBGA11.5 x 13 x 1.2
mm
VCC:
2.7~3.6V

VCCQ:
1.70~1.95V
or
2.7~3.6V
VDD:
1.7~1.95V


VDDQ:
1.14~1.30V
312/54
MB/S
22,000/14,000 IOPS
UNPVN6G5CACA4CSeMCP(eMMC5.1+LP3)64GB+32Gb3D TLC 256GbLP3
1866Mbps
221FBGA11.5 x 13 x 1.2
mm
312/54
MB/S
22,000/14,000 IOPS
UNPVN5GACACA4BSeMCP(eMMC5.1+LP3)32GB+24Gb3D TLC 256GbLP3
1866Mbps
221FBGA11.5 x 13 x 1.0
mm
333/100
MB/S
34,000/24,000 IOPS
UNPVN5G4CACA4BSeMCP(eMMC5.1+LP3)32GB+16Gb3D TLC 256GbLP3
1866Mbps
221FBGA11.5 x 13 x 1.0
mm
333/100
MB/S
34,000/24,000 IOPS

         

         [Note]:
                  1.The performance is based on UNIC2’s condition

 


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